존 트리거를 이용한 DDR READ/WRITE 이벤트 분리

목표

송신률과 설계 밀도가 증가할수록 DDR 메모리 인터페이스를 집적하는 것은 더욱 어려워집니다. 개발자는 컨트롤러와 DDR DRAM 메모리 사이에서 안정적으로 데이터를 교환하기 위해 적절한 신호 무결성을 유지해야 합니다.

오실로스코프는 신호 무결성을 검증하고 에러 소스를 식별하는 데 중요한 역할을 합니다. 데이터(DQ)와 데이터 스트로브(DQS) 신호는 양방향으로 작동하기 때문에 처리하기 어려운 문제입니다. DQ와 DQS 신호에 대한 READ(메모리가 프로세서에 데이터를 전송) 버스트와 WRITE(프로세서가 메모리에 데이터를 전송) 버스트를 구분하는 것은 어렵습니다. 신호 무결성을 분석하기 위해서는 READ/WRITE 신호를 구분해 처리해야 합니다.

로데슈바르즈 솔루션

예시 구성

이 예에서 PC 시스템은 DDR4 DRAM DIMM을 사용합니다. MemTest86 메모리 테스트 소프트웨어가 데이터 전송을 자극하며 RANDOM 테스트 모드에서 READ/WRITE 버스트의 적절한 조합이 발생합니다. 테스트 시에는 일반적으로 고속 프로브를 클럭 신호에 연결하여, 관련 DQS 신호가 있는 DQ 신호와 명령/주소 신호(CS 등)를 선택합니다.

존 트리거

로데슈바르즈 오실로스코프는 신호 획득을 트리거하기 위해 파형 다이어그램에서 교차해야 하거나 교차하지 않아야 하는 영역을 정의하는 존 트리거를 지원합니다. 존을 사용하여 특정 신호 특성을 중심으로 신호 획득을 실행할 수 있습니다.

이 프로세스를 DQS 신호에 적용하면 다른 프리앰블 모드 또는 READ/WRITE 버스트의 신호 진폭을 중심으로 DDR 인터페이스를 테스트할 수 있습니다.

존 트리거는 언제나 EDGE, 펄스폭과 같은 표준 트리거 이벤트와 결합하여 작동합니다. 아래 예에서는 EDGE가 DQS 신호에 적용되었으며 첫 번째 존(교차점 제외됨)을 이용해 신호 버스트의 시작 부분에 초첨을 맞출 수 있습니다. DQ 신호(영속성 켜짐)를 중첩함으로써 READ 및 WRITE을 모두 획득할 수 있습니다. DQ 신호의 가장자리는 READ의 경우 DQS 신호와 함께 가장자리에 정렬되었으며 WRITE 버스트에 대해서는 중심에 정렬되었습니다.

존을 추가 적용하면 특정 신호 특성에 초점을 맞추어 READ 버스트와 WRITE 버스트 사이를 구분할 수 있습니다. 프로브를 메모리 디바이스와 가깝게 연결한 경우 프로세서부터 메모리에 이르는 신호 채널에 걸친 송신 손실로 인해 WRITE 버스트의 신호 진폭이 감소합니다.

안정적으로 구분이 되면 다른 분석 툴을 적용할 수 있습니다. 예를 들면 DQ 및 DQS 신호에 대한 간단한 진폭 및 타이밍 측정 또는 DQ 신호와 DQS 신호 간 타이밍 측정이 있습니다. 더 정교한 신호 무결성 테스트는 지터 및 노이즈를 확인하기 위한 히스토그림 측정 또는 열린 데이터 아이를 검증하기 위한 마스크 테스트가 있습니다. READ/WRITE 분리를 위한 존 트리거를 사용하면 연속 테스트 실행으로 시스템에서 드물게 나타나는 신호 오류를 탐지할 수 있습니다.

요약

로데슈바르즈 오실로스코프의 존 트리거는 메모리 인터페이스 디버깅 및 검증을 위한 강력한 툴입니다. 신호 전환이 필요하거나 제외되는 존과 함께 강력한 표준 트리거를 결합함으로써 자세한 신호 무결성 분석의 기초가 되는 READ/WRITE 분리를 안정적으로 진행할 수 있습니다. 로데슈바르즈 오실로스코프는 높은 획득률로 빠른 데이터 수집과 높은 통계 신뢰도를 보장합니다.