Оптимизация диэлектрических свойств
Для моделирования отдельных материалов и многослойных комбинаций и создания виртуальной копии обтекателя необходимо знать значения диэлектрической проницаемости и коэффициента потерь. Относительная диэлектрическая проницаемость εr соответствует коэффициенту сжатия длины волны внутри материала, тогда как коэффициент потерь tan(δ) характеризует ослабление передаваемого сигнала внутри слоя.
Калькулятор диэлектрической проницаемости от Rohde & Schwarz способен рассчитывать оба параметра и идеально подходит для моделирования слоев обтекателей.
Средства для анализа диэлектрических свойств доступны в левом нижнем углу окна калькулятора диэлектрической проницаемости. С помощью встроенного оптимизатора калькулятор проводит поиск наилучшего соотношения между измеренными и расчетными частотными характеристиками на основе значений диэлектрической проницаемости и коэффициента потерь. Пользователи могут выбирать различные методы расчета с помощью поля с флажком:
- Если поставлен флажок в поле «Fixed εr obtained by transmission phase» (постоянная диэлектрическая проницаемость в зависимости от фазы передачи), оптимизируется только коэффициент потерь, тогда как относительная диэлектрическая проницаемость не изменяется.
- Если флажок в поле отсутствует, оптимизатор имеет повышенную свободу в улучшении относительной диэлектрической проницаемости, при этом в качестве исходного значения берется относительная диэлектрическая проницаемость, рассчитанная на основе фазы передачи.
Оба метода дают схожие результаты для большинства материалов. Фаза передачи может измеряться с высокой точностью и всегда служит хорошей отправной точкой для оптимизации.
Если поставлен флажок в поле «Optimize using logarithmic scale (dB)» (оптимизация с помощью логарифмической шкалы (дБ)), оптимизатор использует логарифмическую кривую для повышения точности расчета материалов, имеющих резонанс внутри диапазона частот R&S®QAR50.
Глобальная оптимизация использует множество произвольно распределенных начальных точек, приближенных к расчетному значению диэлектрической проницаемости, чтобы избежать оптимизации в локальный минимум.
Кривые отражения от кластера 1 (S11) или кластера 2 (S22) доступны для решения индивидуальных задач заказчика.