光絶縁・光アイソレーションプローブのすべて

従来のパワーデバイスの評価では高電圧差動プローブや絶縁オシロスコープを用いるのが一般的でした。しかし近年ではSiC/GaN パワーデバイスの採用が加速している背景もあり、CMRRに優れた光絶縁プローブを用いることが当たり前になりつつあります。 とはいえ、スイッチング電源の高速化に伴い、高周波でのCMRRが十分に取れないケースや、温度安定度が悪いため、測定中に何度も校正し直さなくてはならないなどの問題も生じているようです。ここではローデ・シュワルツの光絶縁プローブの概要とこのプローブを採用するメリットをご紹介します。

ローデ・シュワルツ 光絶縁プローブのご紹介

RT ZISO probe
JP Sub - Safe to measure and easy to operate

安全で使いやすいプローブ

RT-ZISOは性能面だけでなく使いやすさと安全性も考えて設計されています。プローブチップ根元のクイックレバーを使用することで素早くかつプローブヘッドの金属部分に触れることなく安全に取り付けることができます。また、ケーブルは手で簡単に形状を調整できるので、DUTへの機械的ストレスを最小限に抑えることができます。

JP Sub - Probe tips considerations

豊富なプローブチップ

RT-ZISOでは様々なプローブチップをご用意しております。広帯域での優れたCMRR性能を提供するMMCX、高電圧測定用に沿面距離を確保できるスクエアピンとワイドスクエアピン、そして専用のテストポイントがない場合でも素早いデバッグを行うことができる絶縁ブラウザをご利用いただけます。

JP Sub - Introducing the new probe system

RT-ZISOの性能

RT-ZISOは、レーザーを使用してプローブヘッドとプローブレシーバー間の通信を行うのでグランドループを解消でき、優れたCMRR性能を実現しています。加えて最大1GHzの帯域幅、450 ps未満の立ち上がり時間を有し、最大±3,000 Vまで正確な差動測定を実行できます。

JP Sub - Measuring accurately in wide bandgap application

RT-ZISOを用いたハイサイド測定

RT-ZISOは優れたCMRRを有しています。高速なコモンモード信号に隠され、従来の高電圧プローブでは測定できなかった信号特性も確認することができるので、ワイドバンドギャップ半導体ベースの電源設計におけるハーフブリッジ回路のハイサイド測定において最適なプローブです